Kioxia y Western Digital han presentado oficialmente sus 8mi Memoria 3D NAND de generación BiCS con 218 capas activas. El nuevo dispositivo de almacenamiento ofrece una capacidad de 1 TB en modo 3D TLC y una velocidad de transferencia de datos de 3200 MT/s, una combinación que permitirá a los fabricantes de SSD crear unidades de alto rendimiento y gran capacidad. Para permitir una velocidad de interfaz tan extrema, las empresas adoptaron una arquitectura similar a Xtacking de YMTC.
El dispositivo BiCS 3D NAND de 218 capas desarrollado conjuntamente por Kioxia y Western Digital admite configuraciones de celdas de tres niveles (TLC) y celdas de cuatro niveles (QLC) para maximizar la densidad de almacenamiento y expandir las aplicaciones direccionables. Las compañías dijeron que el nuevo dispositivo incorpora su nueva «tecnología de reducción lateral para aumentar la densidad de bits en más de 50», sin dar más detalles. Teniendo en cuenta que el IC de memoria flash aumentó la cantidad de capas activas en un 34 %, la afirmación de un aumento del 50 % en la densidad de bits indica que los desarrolladores también redujeron los tamaños laterales de las celdas NAND para acomodar más por capa.
Mientras tanto, el dispositivo 3D NAND de 218 capas cuenta con una arquitectura de cuatro planos que permite un mayor nivel de paralelismo para el programa y los tiempos de lectura y un mayor rendimiento. Además, el dispositivo TLC 3D de 218 capas también tiene una interfaz de entrada/salida de 3200 MT/s (que podría proporcionar una velocidad máxima de lectura/escritura de 400 MB/s), que es la velocidad de E/S más alta anunciada hasta la fecha. Las altas tasas de transferencia de datos serán útiles para clientes de gama alta y SSD empresariales con una interfaz PCIe 5.0.
Kioxia y Western Digital Fab 7, planta de Yokkaichi, Japón
La innovación clave de los 8mi La generación de memoria BiCS 3D NAND es la nueva arquitectura CBA (CMOS Directly Array-Linked) que implica la producción separada de obleas de matriz de celdas 3D NAND y obleas I/O CMOS utilizando tecnologías de procesamiento de última generación y luego vincular juntándolos para crear un producto final que ofrece una mayor densidad de bits y una rápida velocidad de E/S NAND. Mientras tanto, Kioxia y Western Digital revelarán detalles sobre su arquitectura CBA y si las obleas de E/S CMOS llevan otros circuitos periféricos NAND, como búfer de página, amplificadores de detección y bombas de carga.
La producción separada de celdas de memoria y circuitos periféricos resuelve varios problemas porque permite a los fabricantes fabricarlos utilizando las tecnologías de proceso más eficientes en sus secciones de sala limpia. Esto trae otros beneficios a medida que la industria adopta métodos como el apilamiento de cadenas.
Kioxia dijo que ha comenzado a enviar muestras de 8mi Dispositivos de memoria 3D NAND de generación BiCS para clientes selectos. Aún así, no está claro cuándo la compañía planea comenzar la producción en volumen de su memoria flash de próxima generación. No es raro que las empresas anuncien nuevos tipos de vecindarios 3D NAND antes de que entren en producción en masa, por lo que es razonable esperar 8mi Gen BICS en el mercado en 2024.
«A través de nuestra asociación de ingeniería única, lanzamos con éxito la octava generación de Flash BiCS con la densidad de 1 bit más alta de la industria,dijo Masaki Momodomi, director de tecnología de Kioxia Corporation.Estoy feliz de que hayan comenzado los envíos de muestras de Kioxia para clientes limitados. Al aplicar la tecnología CBA y adaptar las innovaciones, hemos avanzado en nuestra cartera de tecnologías de memoria flash 3D para su uso en diversas aplicaciones centradas en datos, incluidos teléfonos inteligentes, dispositivos IoT y centros de datos.«
